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這篇Blog介紹了 OpticStudio 中的原生體積全像模擬功能，該功能可以在考慮其物理特性的情況下，在序列模式下對全像光柵進行全面模擬和分析。在非序列模式下也透過使用 DLL 展示了相同的功能。這些分析對於設計用於虛擬實境 (VR) 和增強實境 (AR) 的抬頭顯示器 (HUD) 和頭戴型顯示器 (HMD) 等系統非常重要。我們將介紹模型中使用的理論和參數。

在模擬的過程中，會將入射光因為元件表面鍍膜、反射和吸收而造成的能量損耗納入考量。一般的情況下，OpticStudio可以對大多數的鍍膜或雙折射材料進行完整的分析。但有時因為分類數據報告(Prescription data)不夠齊全，在進行模擬時會需要簡化後的模型。舉例而言，當我們無法得到真實的鍍膜資訊時，OpticStudio中的理想(IDEAL)和表定(TABLE)鍍膜設定就可以派上用場。

強度分布保持不變。對于無損光纖，模式的相位前總是平面的。坡印廷矢量，顯示能量流的方向，在整個模式分布中始終平行于光纖軸。如果存在傳播損耗，例如由于光纖纖芯中的摻雜劑，模式會有所改變。波前現在可能會彎曲，表明徑向方向的能量流。（例如，如果我們只在纖芯吸收，能量必須從包層流向纖芯。但在大多數情況下，波前只有邊緣變形。）

多道脈沖高度分析器中的數模轉換器首先把脈沖信號轉換成數字信號，建立起電壓脈沖幅值與道址的對應關系（道址號與X光子能量間存在對應關系）。電壓脈沖高度越高，道址號越高。 三、EDS能譜曲線常用的X射線能量范圍在0.2-20.48 keV。如果總道址數為1024，那么每個道址對應的能量范圍是20 eV。

高斯光束的能量耦合以及重疊分析重疊被定義為兩個電磁場分布重疊的比例，可以通過下方公式進行計算，其中 E1、H1 是模式 1 的場，E2、H2 為模式 2 的場。功率耦合則表示能量從一種模式耦合到另一種模式的比例。如果我們考慮輸入模式（能量 Pin）和 i 階模式（能量 Pi），能量耦合將由下方公式給出。能量耦合是考慮模態重疊和模態間等效指數不匹配的總輸入耦合。

地面邊界條件不需要指定具體的數值，計算時軟件默認其兩側的數據壁面分布。流體在實際流動過程中，流體介質之間會進行質量、動量和能量的相互交換，引起各物理量數量上的波動。由于這種波動是小尺寸且是高頻率的，所以不能直接模擬。通常采用Reynolds時均方程的模擬方法，根據增加的控制方程數量，可以將湍流模型分為零方程模型、一方程模型、二方程模型和多方程模型。

高斯光束的能量耦合以及重疊分析重疊被定義為兩個電磁場分布重疊的比例，可以通過下方公式進行計算，其中 E1、H1 是模式 1 的場，E2、H2 為模式 2 的場。功率耦合則表示能量從一種模式耦合到另一種模式的比例。如果我們考慮輸入模式（能量 Pin）和 i 階模式（能量 Pi），能量耦合將由下方公式給出。能量耦合是考慮模態重疊和模態間等效指數不匹配的總輸入耦合。

空氣模型和線圈周圍的磁密度模布(上)，以及線圈和人頭部模型周圍的磁密度模分布(下)。箭頭圖代表磁通密度的實部(紅色)和虛部(藍色)。 接著，我們檢查一下對磁通密度的軸向比率以及人頭部造影周圍的電場標準偏差的積分結果。通過比較集總元件的不同電容值，我們看到實現循環偏振磁場的最佳電容值約為 28.5 pF。

挑戰? 冷卻與加熱切換時間點的優化? 決定變模溫制程中，對模具加熱需要多少能量，以及對模具的冷卻需要多大的冷卻液流量? 在劇烈的溫度變化制程下，如何將模具的壽命優化Moldex3D 解決方案為了滿足變模溫制程對CAE分析的需求，Moldex3D提供完整的分析工具，可模擬各種模具快速加熱和冷卻情形，完整整合充填、保壓及冷卻階段的真實三維數據。

空氣模型和線圈周圍的磁密度模布(上)，以及線圈和人頭部模型周圍的磁密度模分布(下)。箭頭圖代表磁通密度的實部(紅色)和虛部(藍色)。 接著，我們檢查一下對磁通密度的軸向比率以及人頭部造影周圍的電場標準偏差的積分結果。通過比較集總元件的不同電容值，我們看到實現循環偏振磁場的最佳電容值約為 28.5 pF。

圖2 縱向功率分布圖圖3為模場分布圖，在開始傳輸時纖芯1的能量高，然后能量會耦合到另外兩個纖芯上。從圖3中可以看出能模態在纖芯間的耦合。圖3 模場分布圖通過軟件中的仿真1330~1700nm波長范圍內纖芯1的透射光譜，仿真得到透射光譜有明顯的對比度。并且可以選擇波谷作為傳感的參考點，可以進一步做溫度，磁場，曲率等的仿真，為實驗提供理論支撐。

若非線性效應不可忽略，原則上它們可以通過合適的色散分布進行補償——然而，實踐起來比較困難。因此，光纖作為脈沖壓縮器在大多數情況下僅限于峰值功率相對較小的脈沖。此外，如果光譜恒定的二階色散足夠大，則脈沖壓縮是最容易的，即光譜相位隨著頻率偏移的平方變化。 模間色散多模光纖還有另一種色散：模間色散。

?Pm: 為射出螺桿之計量區壓力分布設定。 ?Pn: 為射出噴嘴口的壓力分布設定，會隨模穴壓力變化而改變。 ?Pg: 此為流道盡頭之進澆點壓力分布，即模穴入口的壓力。通常模穴壓力變化將落后于設定壓力值，主要因壓力傳遞及摩擦損耗所造成。 ?Pc: 模穴末端的壓力。模穴內壓力會小于進澆點壓力，主管因模穴內壓力損耗所造成。

?Pm: 為射出螺桿之計量區壓力分布設定。?Pn: 為射出噴嘴口的壓力分布設定，會隨模穴壓力變化而改變。?Pg: 此為流道盡頭之進澆點壓力分布，即模穴入口的壓力。通常模穴壓力變化將落后于設定壓力值，主要因壓力傳遞及摩擦損耗所造成。?Pc: 模穴末端的壓力。模穴內壓力會小于進澆點壓力，主管因模穴內壓力損耗所造成。

一個重要的問題是腔的穩定性依賴于泵浦能量，為了分析這個，像第三節那樣調節泵浦能量。選中方框“Show y-plane diagram”，可以附加顯示y平面模的穩定性圖表。圖16廣義參數g定義的理論解釋在手冊的6.5小節。4.2 顯示橫向高斯模分布圖在圖15所示的窗口里，模式圖的上方可以找到可選框“Show Mode Profile”。

例如，考慮光纖半徑為 20 μm 且數值孔徑為 0.05 的少模光纖。作為測試，我們排列光纖，使彎曲沿光纖長度變得越來越緊：反曲率半徑隨傳播距離線性增加。發射的光完全都處于基本模式。圖 2： 沿光纖增加彎曲的幅度分布。使用 RP Fiber Power 軟件 對光束傳播進行數值模擬。圖 2 顯示了 yz 平面中的模擬幅度分布。

雖然由這個混合模式產生的空間分布與TEM00模很接近，但它的傳播明顯不同。下表列出了光束的模式內容，圖6顯示了在FRED中計算的單模剖面，通過給每個模式分配不同的波長，圖7顯示了這五種模式的非相干性組合。

若想利用共射的優點，了解其物理及模穴里的動態分布很重要。制成的挑戰來自于控制兩射在模穴中的分布，這在產品的結構應用上最明顯，因為其剛性取決于兩射在皮層與核心的分布差異，與其搭類型的多材質射出不同，共射的兩材料接口為不定型分布，因而增加制程難度。2.

圖 2 是沿厚度方向分子定向效果分布情況的示意圖。圖2：射出成品厚度方向分子排向（定向）程度除了在成品厚度方向上下表面有一薄層固化層外，大部分區域是屬于熔膠流動層，而這區域主要的內部應力形成是由于不均勻的冷卻造成，塑膠件厚度方向的冷卻作用是由與模壁接觸之成品表面開始向成品內部延伸，所以中心層是最慢冷卻的區域。